Необычный эффект на лавинных транзисторах

Здравствуйте! Хочу узнать ваше мнение и сразу оговориться, что теория взята из книги Дьяконова В.П "Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах", изданная еще в 1973г. Есть издание 2008г. но бесплатно скачать не нашел.
Так вот- "Обычные кремниевые n-p-n транзисторы, работающие в лавинном режиме с ограниченной ( ООЗ) позволяют получить уникальные параметры импульсов, не достижимые при использовании других полупроводниковых приборов."
Примером приводиться схема генератора импульсов с амплитудой на выходе 25 А, 25В, длительности импульса около 1,5 нс, F=200kGz на нагрузке как вы понимаете 1Ом.
Потребляя от источника тока всего-то около 5мА.
По сути транзистор является генератором и усилителем огромной мощности!!! и не надо искать призрачный "эфир" и тому подобное.

 

Хотелось бы узнать номер страницы, на которой схема и приведеная цитата.

 

так это не усилитель а формирователь импульса.
нечто подобное есть и на фидерных линиях.

 

не уводи от темы сами.
и не надо тереть сообщения.
это формирователь импульса.
если вам не нравится присутствие специалиста по радиоэлектронике то так и напишите.

 

Вот:
Первая схема, это КАЧЕР на ЛАВИННОМ режиме работы транзистора.

-- добавлено: 21 авг 2012, 21:36 --

Делал ГЕНКУ на С945, для работы на колебательный контур. Частота "ударов" 1,25 МГц, частота "звона" 12,5 МГц, амплитуда 120 В.

Вячеслав, "подправь" пожалуйста. Я не умею. А то по всему экрану схема "расплылась".

 

Потребление по постоянному току - мизер (но не замерял, просто в качестве "защиты" стояла лампа накаливания на 20 Вт). В воду не "стрелял" .

 

Просто, в качестве "ЗАЩИТЫ". И ЭТО - не АМПЕР , а всего лишь 0,09 А .

 

УВАЖАЕМЫЕ ГОСПОДА, случайно попал на ЭТУ ВЕТКУ, нашел в своих архивах ЭТО---
ЦИТИРУЮ
Применение транзисторов в лавинном режиме позволяет упростить некоторые схемы, получить большие выходные напряжения, высокое быстродействие, не достигаемые при работе транзисторов в обычных режимах. Есть. однако, целый ряд причин, затрудняющих широкое использование лавинного режима работы транзисторов.

В первую очередь следует упомянуть значительный разброс лавинных параметров транзисторов и, как следствие, недостаточно высокую воспроизводимость характеристик устройств на транзисторах, работающих в подобном режиме. Кроме того, всегда есть большая опасность пробоя транзистора в процессе налаживания устройств.

Однако несмотря на формальные причины (отсутствие в технических условиях указания о возможности работы в режиме лавинного пробоя), применение обычных транзисторов в режиме лавинного пробоя вполне оправдано в радиоэлектронных устройствах, изготовляемых в единичных экземплярах, при проведении экспериментов, в радиолюбительских конструкциях и т. п.

Хорошие результаты можно получить при использовании в лавинном режиме мощного кремниевого транзистора П701А. На рис. 1 приведена схема генератора пилообразного напряжения, работающего в автоколебательном режиме.

rk-4791.gif
рис. 1

Генератор вырабатывает пилообразные импульсы с частотой 20...250 Гц, 200...2500 Гц и 2000...25 000 Гц (положение 1, 2, 3 переключателя S1) и амплитудой - 120 В. На частотах выше 20 кГц амплитуда напряжения снижается до 100 В. Линейность пилообразного напряжения достаточно высока, ее ухудшение происходит лишь на самых низких частотах первого поддиапазона. Генератор легко синхронизируется внешним сигналом с частотой до сотен килогерц и напряжением от единиц вольт. Входное сопротивление для сигнала синхронизации - около 90 кОм. При напряжении питания 600 В генератор потребляет от 0,5 до 3 мА (большее значение соответствует большей частоте каждого поддиапазона).

При подключении генератора к источнику питания напряжение на коллекторе транзистора и конденсаторе С2. равное в начальный момент нулю (транзистор заперт), начинает экспоненциально возрастать со скоростью, определяемой постоянной времени цепи R5R6C2. При достижении на коллекторе транзистора некоторого напряжения он отпирается, конденсатор С2 разряжается через него. напряжение на конденсаторе резко падает до нуля, после чего процесс повторяется. Подавая в цепь базы переменное напряжение, можно управлять моментом открывания транзистора, чем и обеспечивать его синхронизацию.

Налаживание генератора сводится к подбору такого положения движка подстроечного потенциометра R4, при котором устойчивые колебания будут поддерживаться при любых положениях резистора R6 и переключателя SI. Если это не получается, то следует увеличить напряжение питания и. может быть, заменить транзистор.

При длительной работе генератора на высокочастотных участках поддиапазонов (резистор R6 в положении минимального сопротивления) возможен незначительный нагрев транзистора, чтобы избежать этого, транзистор целесообразно укрепить на радиаторе.

Генератор может работать без каких-либо изменений в схеме при напряжении питания от 300 до 800...1000 В. Амплитуда пилообразного напряжения генератора при этом изменяется незначительно, в то время как диапазон частот. перекрываемых генератором, с понижением питающего напряжения смешается в сторону низких (до 5...10 Гц), а при повышении - в область более высоких частот (до 30 кГц). Приведенные выше параметры генератора получены при питающем напряжении 600 В.
ДУМАЮ ЧТО ЭТА СТАТЬЯ ПРОЛЬЕТ СВЕТ И ОЖИВИТ ТЕМУ, ЖАЛЬ НЕ ЗНАЮ АВТОРА...
С УВАЖЕНИЕМ<br /><br />-- добавлено: 23 окт 2012, 21:56 --<br /><br /><a class="postlink" href="http://www.electrik.org/modules/Static_Docs/data/rf/s2/rk-4791.gif" onclick="window.open(this.href);return false;">http://www.electrik.org/modules/Static_ ... k-4791.gif</a>
Извиняюсь не клялся рисунок пришлось найти оригинал.

 

УВАЖАЕМЫЙ ВИТАЛИЙ, какие из современных доступных транзисторов ВЫ бы посоветовали применить, хотелось получить частоту до 10 мега Г. или хотя бы 1мега Г.
БОЛЬШОЕ СПАСИБО...

 

Признаюсь честно, Особо не экспериментировал. Проверял на КТ315 и С945. Работают на 1,25 МГц. Вероятнее всего и до 10 МГц будут работать без проблем.
В планах на будущее сделать (оформить в завершённую конструкцию, так как на "соплях" уже сделал), регулируемый (токовый) источник ВН с возможностью регулировки от 100, до 30000 В. Для проверки ЛАВИННОГО режима в полупроводниках.

 

СПАСИБО ВИТАЛИЙ, несмотря на то что электроникой занимаюсь уже много лет, на лавинный режим вышел совсем недавно. На мой взгляд очень много общего с разрядником,
если взять во внимание что Н. ТЕСЛА стремился получить очень короткие высоковольтные импульсы то ЛАВИННЫЙ РЕЖИМ ЛУЧШИЙ ТОМУ ВАРИАНТ для запуска резонатора ИЛИ индуктора, тем более что повторные импульсы можно получать автоматом при уменьшении амплитуды звона.
Жаль только на своем осциллографе не могу просматривать столь короткие импульсы,
а вот транс. Теслы. дает не плохие разряды, и практически без ВВ конденсаторов...
УСПЕХА. если есть какие соображения по данной теме пожалуйста поделитесь, если мне удастся получить что то необычное то же буду выкладывать на этой ветки...

 

ОСОБЫХ СООБРАЖЕНИЙ , пока - нет. ГЛУШИЛКА, классная получается. Просто хочу "пошшупать".

 

УВАЖАЕМЫЕ ГОСПОДА ПОДОБНЫЙ ЭФФЕКТ УДАЛОСЬ ПОЛУЧИТЬ, Подходят далеко не все транзисторы, лучший вариант это S-диоды, транзисторы выполненные по ЭПИТАКСИЯ-ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ ( кт3117, кт603, кт608, кт606 ), но для обкатывания схем, отлично идут КТ315 при условии если напряжение коллектора увеличивать в 4-10 раза от макс. при этом ток при открытом транзисторе не должен превышать максимального --условия лавины для всех транзисторов-- ВЧ способны генерировать импульс в единицы наносекунд. Представленная мной схема способна создать короткий импульс, мощностью в 1 Квт.( используя 4-6 каскадов ) она позволяет заряжать конденсаторы в параллель а разряжать последовательно, через нагрузку. --используемая емкость, ток потребления и напряжение в десятки раз меньше чем при разряднике с той же выходной мощностью...
В разработки схема позволяющая создать наносекундный импульс до 100А на нагрузке 0.5ом. с регулировкой спада, в плоть до срыва...
основная задача куда и как это прикрутить... пока проверяю на ТТ.
СУЩЕСТВУЕТ ПРОБЛЕМА КОНТРОЛЯ, ОСЦИЛЛОГРАФ У МЕНЯ СИ-1 наносекундные импульсы не разборчивы, а увеличения их длины приводит к пробою транзистора...