Дед75
Владислав
- Регистрация
- 15 Август 2015
- Сообщения
- 1.103
- Реакции
- 450
- Баллы
- 73
Руслан говорил о малом токе не потребления, а высоковольтном. Вы не совсем разобрались с моим текстом.
Про гребенчатую форму вы тоже не поняли, о чём это было. У меня транзистор ТТ потребляет средний ток ок. 1А и он зависит от количества импульсов в пачке. Положив щуп осциллографа под ВВ ТТ, или подсоединив их в выводам Г, я всегда получаю почти чистую синусоиду, хотя по моему разумению на Г нужно слать его однополярные полуволны.
Размещая И над обеими половинами Г ("в среднюю точку"), вы воздействуете на обе половины Г, намотанные противоположно. Стало быть, и получаемое на них напряжения одной половины Г сильно компенсируется напряжением другой.
Именно то же самое в исходном Руслановском конструктиве: на толстую часть действует ВВ поле самого ТТ на длине обмотки ВВ от её горячего конца, а на вторую половину действует это же поле, но посредством Антенны: ведь она - ни что иное, как продолжение ВВ обмотки ТТ, а не просто какой-то ёмкости!
Отсюда смещение И в центр ничего иного дать и не может...
Про гребенчатую форму вы тоже не поняли, о чём это было. У меня транзистор ТТ потребляет средний ток ок. 1А и он зависит от количества импульсов в пачке. Положив щуп осциллографа под ВВ ТТ, или подсоединив их в выводам Г, я всегда получаю почти чистую синусоиду, хотя по моему разумению на Г нужно слать его однополярные полуволны.
Размещая И над обеими половинами Г ("в среднюю точку"), вы воздействуете на обе половины Г, намотанные противоположно. Стало быть, и получаемое на них напряжения одной половины Г сильно компенсируется напряжением другой.
Именно то же самое в исходном Руслановском конструктиве: на толстую часть действует ВВ поле самого ТТ на длине обмотки ВВ от её горячего конца, а на вторую половину действует это же поле, но посредством Антенны: ведь она - ни что иное, как продолжение ВВ обмотки ТТ, а не просто какой-то ёмкости!
Отсюда смещение И в центр ничего иного дать и не может...